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41.
42.
报道了用二 (2 乙基己基 )二硫代磷酸为萃取剂 ,以正庚烷为稀释剂萃取铟的热力学研究。在In2 (SO4 ) 3+Na2 SO4 +D2 EHDTPA +n C7H1 6 +H2 O体系中 ,在温度 2 78.15~ 3 0 3 .15K和离子强度 0 .1~ 2 .0mol·kg- 1 范围内 ,以Na2 SO4 为支持电解质 ,测定了萃取平衡水相中In3+浓度和pH值。计算了萃取反应的标准平衡常数K0 ,并得到经验公式logK0 =43 .93 -5 3 68.5 4 T -0 .0 699T ,同时计算了萃取反应的其他热力学量 ,并指出了焓和熵都是此萃取过程的推动力 相似文献
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Supply chain management has offered a way to improve the industrial environment becomes more competitive. While, the commonly seen methodologies may be effective in solving the production–distribution problem only from supplier- or customer-oriented consideration, those cannot present the interactive relationship between upstream and downstream enterprises. In the competitive semiconductor industry environment, considering the viewpoints of the supplier and consumer simultaneously is particularly required, because multiple manufacturing and demanding steps are performed at separate situations, concurrently. In this paper, we propose an interaction-oriented approach, which bases on the analytic hierarchy process (AHP) methodology and proportional rule, to solve the semiconductor distribution problem with multiple quantitative and qualitative criteria. The developed approach gives an expected satisfaction for the all participators of the whole chain while the cooperative information is shared perfectly and effectively. Analysis results demonstrate the proposed methodology is efficient and effective through a real world case study. 相似文献
44.
从分析修磨过程运动学和单个磨粒切削入手,建立了磨削深度与磨削过程诸参数(如工艺、材料性能、砂轮性能等)的关系表达式,从而建立起金属切除率与各单项参数的定量关系,为改善或提高修磨效率和修磨过程控制提供了有意义的根据。理论分析与实验结果吻合良好。 相似文献
45.
46.
将Corex输出煤气用于直接还原铁(DRI)的生产是该气体的最佳用途。该方案在技术上是可行的。其中CO2的脱除方法已成熟并有多种选择。据推断,煤气加热时不会产生严重析碳,所以不影响加热和还原。CO2脱除量大、产品碳含量高、还原速率下降及入口温度上升是还原工艺的主要特点。HYLⅢ工艺比Midrex工艺更适于使用Corex输出煤气。用Corex输出煤气作还原气时能耗比使用天然气时高。 相似文献
47.
48.
本文就一台主变压器绝缘电阻低于“规程”允许值的问题,进行了原因分析,提出了简易的处理方法,取得了较好效果,同时提出了几个值得探讨的问题,对提高变压器的安全运行水平有一定的现实意义。 相似文献
49.
The dependences of both oxidation-resistant and self-aligned silicidation properties on the thicknesses of top amorphous-Si (a-Si) and Ti metal in an a-Si/Ti bilayer process are presented. It is shown that a thin silicide layer formed during the reaction between a-Si and Ti films becomes a stable oxidation and nitridation barrier for oxygen- and nitrogen-related impurities. Moreover, the formation sequence of the silicide phase depends not only on the annealing temperature but also on the thickness of the Ti film. In addition, the preferential orientation of the silicide phase after annealing at high temperature also shows a strong dependence on the thickness of Ti film, which is attributed to the difference of the grain size in the polycrystalline silicide film. The allowed process window for the a-Si thickness can be determined experimentally and a reproducible and homogeneous self-aligned TiSi2 film can be easily obtained by using the a-Si/Ti bilayer process in salicide applications despite high-level contaminations of oxygen impurities in both the as-deposited Ti film and the annealing ambient 相似文献
50.
制备了SnO3/ZnO及ZnO/SnO3多层结构的气敏薄膜,用能谱结合氩离子刻蚀的方法及X射线衍射法,对薄膜的表面吸附。膜间的相互与组成等进行了研究,结果表明:薄膜表面存在少量的吸附多层膜中锌的扩散远比锡一个模型,对吸附现象作了初步的解释,讨论了造成锌锡扩散的原因。 相似文献